Орфографическая ошибка в тексте

Послать сообщение об ошибке автору?
Ваш браузер останется на той же странице.

Комментарий для автора (необязательно):

Спасибо! Ваше сообщение будет направленно администратору сайта, для его дальнейшей проверки и при необходимости, внесения изменений в материалы сайта.

Новости » "МИСиС" проводит тестирование для выпускников Чувашии. Выпускники показавшие налучшие результы будут иметь льготы при поступлении

00:00 08 апреля 2011 г.

16, 17 апреля т.г. Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (сайт http://www.misis.ru/) проводит тестирование для  выпускников  школ  Чувашии.   По  его  результатам лучшие будут рекомендованы к зачислению и зачислены в Институт новых материалов и нанотехнологий (ИНМиН)  при условии, что сумма баллов ЕГЭ по физике, математике и русскому языку составит 150 и выше.

Тестирование по математике  пройдет  16 апреля, начало в 14 часов, по  физике  - 17 апреля, начало в 10 часов.

Базовая школа для проведения тестирования  -  чебоксарский лицей №44 (ул. Баумана,10), тел. 64-84-46 (заместитель директора Римма Ивановна Кириллова), сайт: http://lyceum44.ru/.

Заявки на участие в тестировании принимаются до 14 апреля по электронному адресу: kirillova70@mail.ru/ или по телефону 8-927-861-34-30 (указать фамилию, имя, отчество, школу, класс).

Дополнительная  информация: Сергей Александрович Леготин, телефон 8-926-276-10-50, ответственный за проведения тестирования со стороны НИТУ «МИСиС», Римма Ивановна Кирилова со стороны МОУ «Лицей №44 г. Чебоксары», телефон 64-84-46

СПРАВОЧНО. Институт новых материалов и нанотехнологий осуществляет набор студентов по направлениям:

для бакалавров:

• Электроника и наноэлектроника

 профили: Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники; Технология микро- и наноэлектроники; Материалы и технологии магнитоэлектроники

• Материаловедение и технологии материалов

 профили: Материаловедение функциональных материалов наноэлектроники; Кристаллы квантовой и оптической электроники; Физико-химия процессов и материалов; Металловедение; Физическое материаловедение; Материаловедение и технологии высокотемпературных материалов и покрытий; Материаловедение и технологии сверхтвердых материалов и ювелирных алмазов; Функциональные наноматериалы

• Физика

профиль: Физика конденсированного состояния вещества

• Нанотехнологии и микросистемная техника

 профиль: Технология микро- и наноэлектроники; Материалы и технологии магнитоэлектроники

 

для магистров:

• Электроника и наноэлектроника

 программы подготовки: Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники; Технология микро- и наноэлектроники; Материалы и технологии магнитоэлектроники

• Материаловедение и технологии материалов

программы подготовки: Материаловедение функциональных материалов наноэлектроники; Кристаллы квантовой и оптической электроники; Физико-химия процессов и материалов; Металловедение; Физическое материаловедение; Материаловедение и технологии высокотемпературных материалов и покрытий; Материаловедение и технологии сверхтвердых материалов и ювелирных алмазов; Структурный анализ и диагностика материалов; Наноматериалы; Композиционные материалы; Физическая химия наносистем; Функциональные наноматериалы; Магнитные наноматериалы

• Физика

 программы подготовки: Физика конденсированного состояния вещества; Физика наносистем

Поступление в 2011 году.

Бакалавриат: ЕГЭ по математике,  русскому языку, физике.

Магистратура: вступительное испытание проводятся в НИТУ «МИСиС» по программе выбранного направления.

Мой МирВКонтактеОдноклассники
Российский общеобразовательный портал Федеральный образовательный портал: Российское образование ЕГЭ: Портал информационной поддержки Единого Государственного Экзамена    
         

Система управления контентом
TopList Сводная статистика портала Яндекс.Метрика